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再加碼1.1億美元，聯電於星國打造特殊技術晶圓廠
晶圓代工大廠聯電今(23)日宣布以1.1億美元在新加坡打造12吋晶圓廠Fab12i，成為用於先進特殊技術研發製造的基地「Center of Excellence」，並與當地微電子研究院等機構密切合作。
例如開發背照式影像感測器（BSI CMOS）、嵌入式記憶體、高壓應用產品，以及用於3D IC封裝中的直通矽晶穿孔（TSV）連結等，應用於車用、行動、智慧型手機與平板電腦等日益龐大的產品市場，聯電也預計今年內於Fab 12i廠增聘逾80名工程師。
聯電營運長陳文洋表示，擁有這座專為先進特殊技術研發與製造基地的12吋晶圓廠，將可促進許多新技術的及時問世，同時可讓聯電充分掌握跨入新市場的契機。
「我們之所以選擇新加坡，在於新加坡可提供豐富的工程人力資源以及完善的半導體產業架構，此外，新加坡健全的半導體產業環境，也可促成聯電未來與新加坡本地企業合作的機會。」
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